该工作使用多孔碳纳米纤维硫复合材料作为锂硫电池的正极，年瓦在大倍率下充放电时，年瓦利用原位TEM观察材料的形貌变化和硫的体积膨胀，提供了新的方法去研究硫的电化学性能并将其与体积膨胀效应联系在了一起。

同质键合界面如图2a和2b所示，安力直根据表面物理化学性质分析，安力直经Ar/O2→甲酸工艺活化后Cu表面虽然能够达到相对清洁的状态，但表面粗糙度较高，在低能量输入下难以实现原子跨界面的充分扩散以及孔洞闭合。徽电图5.表面协同活化后所得SiO2-SiO2界面微观结构(a)(d)Ar/O2→FA活化后键合界面及元素组成分析。

图7.本论文入选ACS-AMI期刊封面图片【通讯作者介绍】王晨曦，接交哈尔滨工业大学材料科学与工程学院教授，博士生导师。通过该结构层的辅助以及原子扩散，易总亿千最终在低温下获得的Cu-Cu键合界面如图3所示。规模(b)FA→Ar/O2活化后键合界面。

(b-d)混合键合实现的Cu-Cu界面TEM图像【总结与展望】本研究开发出的甲酸(FA)→Ar/O2表面协同活化方案跳出了混合表面选择性构建官能团的困境，达到达基于共羟基化的策略有效将键合温度降低至200℃。通过Cu-Cu与SiO2-SiO2直接键合来分别提供电气连接与机械支撑，市场数量能够有效将芯片间互连节距缩减至1μm以下。

(c)(e)Ar/O2活化后键合界面及元素组成分析最终，主体利用甲酸→Ar/O2活化实现共羟基化的Cu和SiO2表面在200℃下成功完成了Cu/SiO2混合键合。

降低混合键合温度的关键在于降低Cu-Cu与SiO2-SiO2两类界面的键合温度，年瓦但Cu-Cu低温键合需要在高真空环境下以维持表面的原子级清洁状态，年瓦SiO2-SiO2的低温键合则依赖于表面构建的高活性官能团（如-OH）。1前言材料的革新对技术进步和产业发展具有非常重要的作用，安力直但是传统开发新材料的过程，都采用的试错法，实验步骤繁琐，研发周期长，浪费资源。

随后，徽电2011年夏天，奥巴马政府宣布了材料基因组计划(MaterialsGenomeInitiative,简称MGI)，该计划在材料科学中掀起了一场革命。单晶多晶的电子衍射花样你都了解吗?本文由材料人专栏科技顾问溪蓓供稿，接交材料人编辑部Alisa编辑。

以上，易总亿千便是本人对机器学习对材料领域的发展作用的理解，如果不足，请指正。图3-1机器学习流程图图3-2 数据集分类图图3-3                       图3-3 带隙能与电离势关系图图3-4 模型预测数据与计算数据的对比曲线2018年Zong[5]等人采用随机森林算法以及回归模型，规模来研究超导体的临界温度。